原位聚合

原位聚合是單體或可溶性預聚物在基底表面聚合形成導電聚合物膜，主要包括直接聚合、溶液聚合吸附、化學氣相沉積、氣相沉積聚合和液相沉降聚合。原位聚合是一種很有前途的制備PEDOT對電極的方法。這種方法已經廣泛應用于其他PEDOT材料，特別是光學材料的制作，并且這種方法已經用于一些xPEDOT薄膜對電極的制作。采用錐形硅納米孔結構，通過調節其孔徑和深度，PEDOT:PSS可以很好的包覆硅，充分利用光。

傳統的硅太陽能由于制備工藝復雜，硬件設備投資大，電池成本高，限制了其更廣泛的應用。因此，開發新型低成本太陽能電池具有重要的實際應用價值。選擇一種制備工藝簡單的新型電荷選擇性材料(PEDOT:PSS(聚(3，4-乙撐二氧噻吩)-聚(b-乙烯基磺酸))和晶體硅襯底形成非摻雜異質結太陽能電池，可以避免摻雜所需的高溫過程，有望獲得低成本的硅基異質結太陽能電池。采用滾涂法制備了一種新型的摻雜二甲基亞砜和炭黑的修飾PEDOT∶PSS對電極。

但這類異質結電池存在PEDOT:PSS材料空穴遷移率低、PEDOT:PSS/硅接觸面性能差、硅/金屬電極接觸電阻高等問題，限制了電池轉換效率的提高。為了解決這些問題，蘭州大學物理科學技術學院彭尚龍采用PEDOT:PSS材料改性、光吸收改善、硅納米陷獲結構構建、硅表面鈍化、硅/金屬界面接觸電阻降低等策略，提高電池轉換效率，降低成本，取得了一系列研究成果。此外，所制備的PEDOT薄膜結構規整，電導率高，薄膜與電極之間附著力強。

通過調節導電聚合物對陰離子的分子結構，調節對陰離子的空間位阻，實現薄膜自抑制聚合(SIP)新工藝，獲得適用的PEDOT厚膜材料，便于制備微米級高電導率(gt；103 S/cm)的PEDOT薄膜成為可能。在此基礎上，利用自抑制效應同步生成了高厚度的無孔PEDOT:DBSA-Te點復合膜。通過新型Fe(III)氧化劑的自抑制作用，PEDOT基體被均勻分散的Te粒子緊密包覆，成功抑制了Te納米粒子的氧化。這類材料可用于電致變色智能窗、電致變色顯示器、無眩光鏡、電致變色存儲器件、紅外S發射器件、雷達吸波材料等諸多領域。